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　　純物質(zhì)的熔點(diǎn)和不純物質(zhì)的熔點(diǎn)的區(qū)別：純物質(zhì)的溶點(diǎn)一般情況下比不純物的熔點(diǎn)低。兩種熔點(diǎn)相同的物質(zhì)等量混合熔點(diǎn)有變化，則不純物質(zhì)熔點(diǎn)下降。如果是各自獨(dú)立的晶體（即不發(fā)生任何作用）則熔點(diǎn)不變。

　　同種類型晶體的比較規(guī)律

　　1、原子晶體：熔、沸點(diǎn)的高低，取決于共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)和鍵能，鍵長(zhǎng)越短，鍵能越大，熔沸點(diǎn)越高。

　　2、離子晶體：熔、沸點(diǎn)的高低，取決于離子鍵的強(qiáng)弱。一般來說，離子半徑越小，離子所帶電荷越多，離子鍵就越強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)就越高。

　　3、分子晶體：熔、沸點(diǎn)的高低，取決于分子間作用力的大小。一般來說，組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)，其分子量越大，分子間作用力越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)就越高。

　　4、金屬晶體：熔、沸點(diǎn)的高低，取決于金屬鍵的強(qiáng)弱。一般來說，金屬離子半徑越小，自由電子數(shù)目越多，其金屬鍵越強(qiáng)，金屬熔沸點(diǎn)就越高。