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　　賽晶亞太半導(dǎo)體科技（浙江）有限公司（以下簡稱：賽晶）舉行線上新產(chǎn)品發(fā)布會，正式推出最新研發(fā)成果：i20系列1700V IGBT芯片組、ST封裝IGBT模塊。

　　1700V是IGBT的主流電壓等級之一，廣泛應(yīng)用于風(fēng)力發(fā)電、無功補償（SVG）、智能電網(wǎng)，以及中高壓變頻器等領(lǐng)域。

　　賽晶i20系列1700V IGBT芯片組，基于經(jīng)典的溝槽柵及場截止芯片結(jié)構(gòu)，并采用了窄臺面、優(yōu)化N-型增強層、短溝道、3D結(jié)構(gòu)、優(yōu)化P+層等多項行業(yè)前沿理念的優(yōu)化設(shè)計，具有大功率、低損耗、高可靠性等卓越的芯片性能，代表了國內(nèi)同類芯片技術(shù)的最高水平。

　　已經(jīng)發(fā)布的首款I(lǐng)GBT模塊（ED封裝IGBT模塊），目前已經(jīng)向電動汽車、新能源發(fā)電、工控等領(lǐng)域的多家行業(yè)領(lǐng)先客戶批量供貨，并以卓越的性能和表現(xiàn)廣受好評。本次發(fā)布會上，賽晶發(fā)布了第二款工業(yè)級模塊產(chǎn)品- ST封裝IGBT模塊。該模塊，采用行業(yè)標準外形設(shè)計（62mm），具有極佳的通用性，是工業(yè)級IGBT模塊中的主流型號之一。特別是在光伏發(fā)電、低壓變頻器、UPS電源、電機驅(qū)動、數(shù)控機床等領(lǐng)域，ST封裝IGBT模塊具有廣泛的市場需求。

　　ST封裝IGBT模塊，采用優(yōu)化布局、三維信號傳輸?shù)葎?chuàng)新設(shè)計（已申請專利）實現(xiàn)了出色的模塊性能：同類產(chǎn)品中最低的內(nèi)部熱阻、連接阻抗、內(nèi)部雜散電感等。ST封裝IGBT模塊，是賽晶打造精品國產(chǎn)IGBT模塊戰(zhàn)略的最新成果。

　　本次發(fā)布會還介紹了正研發(fā)中的兩款車規(guī)級SiC模塊：HEEV封裝和EVD封裝SiC MOSFET模塊。HEEV封裝的創(chuàng)新設(shè)計，能最大限度的發(fā)揮SiC模塊的出色性能。EVD封裝將推出SiC MOSFET和Si IGBT兩個版本，可以滿足汽車市場不同需求。