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品牌型號：聯(lián)想內(nèi)存條
系統(tǒng)：DDR5 4800MHz 16G

ddr5內(nèi)存的意思是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存的規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。

改進(jìn)的DDR5功能將使實(shí)際帶寬提高36%，即使在3200 MT / s和4800 MT / s速度開始，與DDR4-3200相比，實(shí)際帶寬將高出87%。與此同時，DDR5最重要的特性之一將是超過16 Gb的單片芯片密度。

ddr5內(nèi)存拓展介紹：

1、等效頻率提升：最能感受到的等效頻率的提升，直接從2133MHz增長至4800MHz，隨著當(dāng)下DDR5內(nèi)存調(diào)參的深入，6400MHz或?qū)⒊蔀橹髁魉健?/p>

2、DRAM容量提升：內(nèi)存的DRAM容量也是此次DDR5內(nèi)存技術(shù)提升的重點(diǎn)方向，在JEDEC的DDR4規(guī)范中，單顆內(nèi)存Die最大容量只有16Gb，而到了DDR5時代，單顆Die的容量上到64Gb的高度。

3、工作電壓更低：DDR5內(nèi)存工作電壓低至1.1V，對比DDR4最低1.2V的工作電壓，實(shí)現(xiàn)了20%左右的降低，它的降低擁有兩個重要意義。

4、On-die ECC：引入ECC糾錯機(jī)制，從而規(guī)避風(fēng)險，提高可靠性并降低缺陷率。

5、雙32位尋址通道：雙32位尋址通道的引入，其基本原理是將DDR5內(nèi)存模組內(nèi)部64位數(shù)據(jù)帶寬，分為兩路帶寬分別為32位的可尋址通道，從而有效的提高了內(nèi)存控制器，進(jìn)行數(shù)據(jù)訪問的效率，同時減少了延遲。