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低位交叉存儲器能并行是因為采用流水線的方式并行存取。交叉存儲器，又稱低位交叉編址，是一種模塊式的存儲器，能并行執(zhí)行多個獨立的讀、寫操作。存儲器單元實際上是時序邏輯電路的一種。按存儲器的使用類型可分為只讀存儲器（ROM）和隨機存取存儲器（RAM），兩者的功能有較大的區(qū)別，因此在描述上也有所不同。存儲器是許多存儲單元的集合，按單元號順序排列。每個單元由若干二進制位構(gòu)成，以表示存儲單元中存放的數(shù)值，這種結(jié)構(gòu)和數(shù)組的結(jié)構(gòu)非常相似，故在VHDL語言中，通常由數(shù)組描述存儲器。