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靜態(tài)存儲器和動態(tài)存儲器的區(qū)別是：

靜態(tài)RAM（SRAM）速度非常快，只要電源存在內(nèi)容就不會自動消失。其基本存儲電路為6個MOS管組成1位，因此集成度相對較低，功耗也較大。一般高速緩沖存儲器用它組成。動態(tài)RAM（DRAM）的內(nèi)容在10-3或l0-6秒之后自動消失，因此必須周期性的在內(nèi)容消失之前進行刷新。由于它的基本存儲電路由一個晶體管及一個電容組成，因此它的集成度高，成本較低，另外耗電也少，但它需要一個額外的刷新電路。DRAM運行速度較慢，SRAM比DRAM要快2到5倍，一般，PC機的標(biāo)準(zhǔn)存儲器都采用DRAM組成。

靜態(tài)存儲器依靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的兩個穩(wěn)定狀態(tài)保存信息。每個 雙穩(wěn)態(tài)電路存儲一位 二進制代碼0或1，一塊 存儲芯片上包含許多個這樣的雙穩(wěn)態(tài)電路。雙穩(wěn)態(tài)電路是有源器件，需要電源才能工作，只要電源正常，就能長期穩(wěn)定的保存信息，所以稱為靜態(tài)存儲器。如果斷電，信息將會丟失，屬于揮發(fā)性存儲器，或稱易失性。